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2013년 5월 26일 일요일
2013년 5월 22일 수요일
2013년 4월 22일 월요일
10 top startups to watch in 2013
Peter Clarke
12/21/2012 2:30 PM EST
Here's our list of ten startups focused on a wide range of electronics technologies that are worth keeping an eye on in 2013.Processors, memory, manufacturing processes, chip architecture, EDA, MEMS, RF, touch screens, servers and the Internet of Things are markets where startups can still make a difference.
What follows are ten rising companies worth tracking in 2013.
Nantero Inc. (Woburn, Mass.) was founded in 2001 and has been working on the use of carbon nanotubes in non-volatile memory applications since then. Having made some noise about a trench-based device structure in 2006 things went quiet again until 2012.
The company has changed its device to an even more scalable in-via structure and has announced additional funding of $10 million led by a couple of strategic partners. In addition microelectronics research center IMEC (Leuven, Belgium) announced a joint development program to make CNT non-volatile memories with critical dimensions of less than 20-nm, and senior IMEC executives expressed the hope that the memory could be deployed as a replacement for DRAM.
If this technology is going to fly it should be able to demonstrate more progress in 2013 and perhaps we will find out who are the strategic partners?
www.nantero.com
Cross-section of Nantero's carbon-nanotube variable-resistence memory structure. The structure is thought to be scalable to 15-nm wide elements and even down to 5-nm.
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SuVolta
SuVolta Inc. (Los Gatos, Calif.) was founded as DSM Solutions Inc. in 2005 and originally planned to come to market with a novel form of junction FET. The company went through a reappraisal of its chances and then emerged with CTO Scott Thompson on-board in 2011 touting a fully-depleted planar transistor structure that uses doping to recreate what is done by others with silicon-on-insulator wafers.
Indeed it appeared that PowerShrink transistors with their deeply depleted channel could provide n alternative to FinFET and FD-SOI manufacturing processes, but none of the leading-edge IDMs or foundries appeared to be biting.
That was until Ajit Manocha, CEO of Globalfoundries Inc. (Milpitas, Calif.) said his company was evaluating a third manufacturing process option – besides FinFET and FD-SOI. That option he called super-steep retrograde well (SSRW), which is basically another name for what SuVolta has been doing.
It is not clear whether Globalfoundries is working with SuVolta or independently of them. But either way it helps give SuVolta's technology some credibility and is a good reason to keep an eye on SuVolta in 2013.
SuVolta's PowerShrink transistor manufacturing process achieves FD-SOI-like benefits without requiring SOI wafers as the starting point. It achieves some FinFET benefits with needing to make and protect fins. But will the leading chip companies reject the technology because of NIH?
www.suvolta.com
SuVolta's PowerShrink transistor is deeply-depleted
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Tela Innovations
Tela Innovations Inc. (Los Gatos, Calif.) was founded in 2005 and started by working with Qualcomm on computational lithography with a view to the extraction of multi mask information for the double patterning era.
Tela's technology is delivered as physical design representation applied to standard cell logic and embedded SRAM, analog and I/O that can result in area savings and reduced leakage current. The company offers gate-length trade-offs for power, performance and area within its libraries. Tela has also specialized in working with customers' IP development teams to get the technology into production.
In February 2009 Tela acquired Blaze DFM, which added PowerTrim to its technology as well as a relationship with Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. which bore fruit in 2010.
The company has been fairly quiet since then but did say mid-2012 that it is ready with libraries for the 32/28-nm and 22/20-nm process nodes. The company's investors provide reasons to watch the company. They include: Intel Capital, Cadence Design Systems Inc., KT Venture Group LLC (the investment partner of KLA-Tencor Corp.) and Qualcomm Inc. The fact that the company appointed an intellectual property legal counsel in 2012 is another reason to be watchful.
www.tela-inc.com
Tela offers 28- , 20-nm and FinFET lithography optimized standard cell libraries.
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Senseg
Senseg Oy (Espoo, Finland), formed in 2006, has developed a touch interface technology that uses electrostatic field to create the illusion of surface texture and even the movement of keys beneath the fingers. The technology has the potential to provide haptic feedback for touch screens and particularly the on-screen keyboards that are part of the use of smartphones and tablet computers.
The company is backed by Ambient Sound Investments, the investment vehicle of the founders of Skype.
By modulating this attractive force on the fingers a variety of sensations can be generated, including textured surfaces, edges, vibrations and the technology produces tactile sensations with no mechanical vibration. The company appointed a Paul Costigan as CEO in June 2012 and so he should be showing some results from his stewardship of the company in 2013.
www.senseg.com
Use of electrostatics can turn a touch screen into a feel screen
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SiTime
SiTime Corp. (Sunnyvale, Calif.), founded in 2005, is a semiconductor company pioneering the use of MEMS timing products.
Earlier this year SiTime entered into a strategic partnership with Vectron International Inc. (Hudson, N.H.) and Knowles Electronics (Itasca Ill.), both owned by Dover Corp. of New York. The formation of the partnership included a cash investment in SiTime by Vectron, which is a maker of quartz timing products, and by Knowles, which makes silicon membrane microphones. The size of the investment was not disclosed but when the competition starts investing in you, you are probably doing something right.
SiTime was also ranked as the fastest growing semiconductor company in North America by Deloitte in November 2012.
www.sitime.com
Silicon MEMS manufacturing brings timing control into the digital domain.
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Wilocity
Wilocity Ltd. (Caesarea, Israel), founded in 2007, develops 60-GHz wireless chip sets for the notebook and peripheral markets that can provide data more than ten times faster than today’s wireless LAN solutions. There are numerous competitors but Wilocity appears to have first-mover advantage and announced a number of design wins and partnerships in 2012.
Wilocity's WiGig technology was selected to provide multigigabit wireless connectivity in a Dell Ultrabook featured at the launch of the Windows 8 operating system. Wilocity is also partnered with Marvell Technology Group Ltd. to bring forward tri-band Wi-Fi solutions enabled with 802.11ad for the computing, networking and consumer electronics segments.
www.wilocity.com
Wilocity sits alongside Qualcomm-Atheros on a tri-band board that provides an Ultrabook WiGig solution for Dell Computers.
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Cyclos Semiconductor
Cyclos Semiconductor Inc. (Berkeley, Calif.) founded in 2006, announced in 2012 that it was Advanced Micro Devices Inc. that had achieved the first commercial implementation of its resonant clock mesh technology.
It was AMD's Piledriver 64-bit core, which operates at up to and in excess of 4-GHz clock frequency, made using 32-nm bulk CMOS. It was reported to save 24 percent of the power consumption in the clock distribution while achieving previous clock-skew targets.
That leaves upside for the likes of Intel and ARM's partners if they adopt the technology and we would hope to see announcements in 2013.
www.cyclos-semi.com
Schematic diagram of resonant clock mesh technology.
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Adapteva
Andreas Olofsson, CEO of 2008 startup Adapteva Inc. (Lexington, Mass.), has offered innovation in both processor architecture and in funding and business models. To begin with Olofsson managed to make use of multiproject wafer runs to keep costs so low that he was able to boast that he had reached processor IC product release with less than $2 million of total investment, while completing four generations of Adapteva's Epiphany multicore processor.
Then Olofsson went one better and used the Kickstarter crowd-source funding website to raise more than $750,000 for a project to build a personal supercomputer called Parallella for which building blocks would sell at $99. The computer module is based on a combination of Zynq SoCs from Xilinx and an Epiphany processor from Adapteva.
The $750,000 is set to fund a mask set but also has the virtue of seeding a developer community of nearly 5,000 potential customers and a lot of awareness. Of course, being innovative is no guarantee of success but we think these innovations merit keeping an eye on Adapteva in 2013.
www.adapteva.com
Click on image to enlarge.
Adapteva has designed a clean-slate RISC processing engine based on the assumption that electronics is about to enter the manycore era. (Source: Adapteva)
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Neul
Neul Ltd. (Cambridge, England) was founded in 2010 to develop a wide-area wireless network technology dedicated to machine-to-machine (M2M) communications and the Internet of Things (IoT). The company has pioneered the development of the Weightless standard for networks that operate in the license-free television white space (TVWS) part of the spectrum. Neul's first product is a radio system specifically designed for TV white space that consists of a base station, battery-powered terminal device, antennas and a set of PC-based network management tools.
The founders are experienced in nurturing a startup company, many of them having been founders of Cambridge Silicon Radio in 1998 and in 2012 they got a boost from near neighbors ARM, which added its weight to the Weightless Special Interest Group.
We expect IoT and M2M to be red-hot in 2013 with both Intel and ARM making it an important part of their approach to the market and we also expect Neul to be making news in that sector.
www.neul.com
Neulnet is the first radio system designed to work in the white spaces around TV broadcasts.
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Calxeda
Calxeda Inc. (Austin, Texas), a developer of ARM-based processors and software for low-power servers for data centers, has announced in 2012 that it raised an additional $55 million in equity funding. This puts the total raised by Calxeda over $100 million since the company was founded as Smooth-Stone in 2008.
Calxeda is already shipping the 32-bit EnergyCore processor and with ARM releasing details of 64-bit capable ARMv8 architecture it is expected that Calxeda will continue to make announcements that seek to address a fragmenting server market.
ARM is a significant investor in Calxeda along with: Austin Ventures, Vulcan Capital, Advanced Technology Investment Co. (the owner of Globalfoundries) Battery Ventures, Flybridge Capital Partners and Highland Capital Partners. So expect to Calxeda to be one of the surrogates through which the ARM versus Intel battle is played out in 2013.
www.calxeda.com
Lowering power consumption is at the core of Calxeda's business.
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Source: http://www.eetimes.com/electronics-news/4403877/10-tech-startups-to-watch-for-in-2013
2013년 3월 22일 금요일
[블루레이] 자이언트 로보: 애니메이션 - 지구가 정지한 날 UE (4disc: 3BD+DVD) 스틸북 한정판
 | [블루레이] 자이언트 로보: 애니메이션 - 지구가 정지한 날 UE (4disc: 3BD+DVD) 스틸북 한정판 -  이마가와 야스히로 감독, 요코야마 미츠테루/미라지엔터테인먼트 - 간만에 강림하신 지름신의 압박이... - 걍 확 사버려~??? - 문제는 내가 Blue-ray player가 없다는거...ㅋㅋㅋ |
2013년 3월 16일 토요일
TI E2E - TPS23754 in flyback mode for 1 Gig POE application
Posted by Arunkumar PB
on Nov 10 2012 02:00 AM
Hi,
We are planning to use TPS23754 in synchronous flyback mode for 1 Gig POE+ application.
In TPS23754EVM-420 ref schematic ,the ethernet interface is not for 1Gig but TPS23754EVM-383 for active clamp forward converter the ethernet interface is for 1Gig.
I want to know if we can use the TPS23754 in synchronous flyback mode for 1 Gig POE+ application.Are there any limitation for TPS23754 in synchronous flyback mode for 1 Gig application.
Please reply
Regards
Posted by Eric Wright
on Nov 12 2012 12:42 PM
Any POE, type 2 equipped ethernet transformer can be used with any TPS23754 based PD (and dc/dc converter topology). You can use the J3 jack from TPS23754EVM-383 with the PD on TPS23754EVM-420 for example. Other POE type 2 giga-bit transformer options are Wurth 749022011 or Pulse H6096NL.
Posted by Arunkumar PB
on Nov 14 2012 00:46 AM
Hi Eric,
Thanks for the reply .So you mean that we can use TPS23754 in fly back topology for 1Gig application only thing that need to be taken care is the TYpe 2 giga- bit transformer.
Posted by Eric Wright
on Nov 14 2012 08:16 AM
Yes, that is correct.
출처: http://e2e.ti.com/support/power_management/power_interface/f/204/t/226086.aspx
on Nov 10 2012 02:00 AM
Hi,
We are planning to use TPS23754 in synchronous flyback mode for 1 Gig POE+ application.
In TPS23754EVM-420 ref schematic ,the ethernet interface is not for 1Gig but TPS23754EVM-383 for active clamp forward converter the ethernet interface is for 1Gig.
I want to know if we can use the TPS23754 in synchronous flyback mode for 1 Gig POE+ application.Are there any limitation for TPS23754 in synchronous flyback mode for 1 Gig application.
Please reply
Regards
Posted by Eric Wright
on Nov 12 2012 12:42 PM
Any POE, type 2 equipped ethernet transformer can be used with any TPS23754 based PD (and dc/dc converter topology). You can use the J3 jack from TPS23754EVM-383 with the PD on TPS23754EVM-420 for example. Other POE type 2 giga-bit transformer options are Wurth 749022011 or Pulse H6096NL.
Posted by Arunkumar PB
on Nov 14 2012 00:46 AM
Hi Eric,
Thanks for the reply .So you mean that we can use TPS23754 in fly back topology for 1Gig application only thing that need to be taken care is the TYpe 2 giga- bit transformer.
Posted by Eric Wright
on Nov 14 2012 08:16 AM
Yes, that is correct.
출처: http://e2e.ti.com/support/power_management/power_interface/f/204/t/226086.aspx
2013년 3월 12일 화요일
2013년 3월 7일 목요일
USB로 노트북 충전과 사용이 동시 가능한 USB Power Delivery 규격은?
하나의 케이블로 자료 교환과 전력 공급이 모두 가능하고, 표준 커넥터를 비롯해 모바일 기기에 맞는 미니 커넥터까지 다양한 규격의 USB는 현재 5Gbps 대역폭의 3.0 규격까지 공개되어 있으며, 이를 이용한 외장하드나 모니터, 웹캠 등 다양한 기기들이 사용되고 있다.
그러나 표준 USB 3.0의 전력 공급 규격은 900mA까지로, 최대 전력 공급량이 4.5W에 불과해 3.5" 외장 하드디스크 구동은 물론 USB 모니터 구동 등 조금만 소비전력이 높아져도 거추장스러운 전원 어댑터가 필요하며, 최신 태블릿과 스마트폰의 대용량 배터리 충전에 오랜 시간이 걸리는 등, USB의 전력 공급 규격의 개선 필요성이 제기되어왔다.
이에 따라 USB-IF에서는 지난 7월 USB 케이블을 이용한 최대 100W 전력 공급 규격인 USB Power Delivery 규격을 확정(이하 PD) 발표, 지난 CES 2013에서 이를 이용한 데모를 시연했는데, 이번 기사에서는 USB PD에 대해 자세히 알아보도록 하겠다.
USB 2.0 이상에 적용 가능한 USB PD
USB PD 규격은 기존 USB 2.0 이상의 규격과 호환을 유지하면서 최대 100W 전력 공급이 가능한 것을 목표로 개발되었기 때문에 기본적으로 USB 3.0은 물론 USB 2.0 이상의 USB 규격에 적용 가능하며, 전력 공급 한계에 따라 총 다섯 가지의 Profile로 구분하고 있다.
USB PD 규격은 아직 확정되지 않은 Profile0을 비롯해 10W 규격의 Profile1부터 18W 규격의 Profile2, 36W 규격의 Profile3, 60W 규격의 Profile4, 100W 규격의 Profile5로 구분되며, 60W의 Profile4는 마이크로 B/AB 커넥터, 100W의 Profile5 규격은 스탠다드 A/B 커넥터를 사용하도록 규정하고 있다.
USB PD는 케이블과 장치를 감지해 전력을 자동 조절한다
기존 5V@900mA에 머물던 USB 3.0의 경우 전력 공급 능력이 최대 22배, 5V@500mA였던 USB 2.0의 경우 40배 이상 확대되므로, 안전을 위해 USB PD 규격에서는 케이블의 PD Profile 지원 마커를 포함해 재디자인된 전용 케이블 사용을 권하고 있으며, 케이블 규격을 감지해 공급 가능한 최대 전력을 자동 조절한다.
PD 규격을 위해 변경된 커넥터 구조
USB PD 규격은 기존 규격과의 호환을 유지하면서 전원 공급 능력을 강화한 규격으로 기존 USB 2.0과 USB 3.0 스펙에서 크게 변한 부분은 없이 기존 USB 커넥터/ 플러그 규격에서 전원 공급과 데이터 교환을 위해 사용되었던 기본적인 핀 구조를 그대로 활용하기 때문에 외형적으로 사용자가 체감할 수 있는 변화는 크지 않다.
USB 3.0 PD 스탠다드 A 커넥터
USB PD 스탠다드 A 플러그(좌) / USB 스탠다드 A 플러그
USB PD 규격의 커넥터/ 플러그 규격은 기존 USB와 기본적인 규격은 거의 변경된 점이 없지만, 기존 USB 규격과 PD 규격을 구분하기 위해 커넥터에 감지 핀이 추가되고 플러그의 디자인이 소폭 변경되었다.
즉, PD 스탠다드 A형의 경우 기존 스탠다드 A형과 비교해 PD 케이블 감지와 플러그 삽입 상태를 확인하기 위한 핀이 추가되었으며, 플러그는 커넥터 내부에 PD 감지 핀과의 접촉을 위해 플러그의 금속재 하우징이 약 1mm 가량 길어졌다.
이와 같은 구조 변경을 통해 PD 스탠다드 A 커넥터는 감지 핀을 통해 연결된 해당 플러그(케이블)가 PD 규격을 지원하는지 확인하고, 케이블 내 마커에 기록된 규격에 맞춰 최대 공급 전력을 조절한다.
한편, 기존 USB 플러그는 USB PD 커넥터 내의 감지 핀과 접촉하지 않으므로 표준 USB 규격에 따라 전력을 공급(USB 2.0 : 5V@500mA, USB 3.0 : 5V@900mA)하며, 일부 씬 카드의 경우 감지 핀과 접촉되는 플러그 부분을 비전도성 물질로 제조해 잘못된 전력 공급이 이뤄지지 않도록 할 것을 규정하고 있다.
USB 3.0 PD 스탠다드 B 커넥터(좌)/ USB 3.0 스탠다드 B 커넥터(우)
USB 3.0 PD 스탠다드 B 타입의 경우 기존 Powered-B 커넥터와 동일한 구성으로, 커넥터 중앙 좌측에 플러그 감지를 위한 추가 핀과 플러그 삽입 상태 확인을 위한 핀이 추가되었다.
USB 2.0 PD 스탠다드 B 커넥터
USB 2.0 PD 스탠다드 B 커넥터의 경우 기본적으로 USB 3.0 PD 스탠다드 B 커넥터에서 USB 3.0을 위해 추가된 부분을 제거한 형태로, PD 규격 케이블 감지를 위한 핀이 중앙 좌측에 추가되었다.
커넥터와 플러그가 기존 버전과 호환성을 유지한 채 PD 규격 케이블 감지를 위한 구조가 추가된 만큼 케이블 역시 해당 케이블이 지원하는 PD Profile 감지 기능을 제공하도록 요구하고 있으며, 안전을 위해 처음에는 표준 USB 규격으로 동작해 PD Profile을 감지한 후 해당 PD Profile 규격에 따라 동작하는 방식을 취하고 있다.
한편, USB PD 규격은 USB 2.0과 USB 3.0을 모두 지원하므로 각각의 아이콘으로 구별하고 있는데, 기본적으로 해당 USB 규격의 표준 아이콘과 배터리를 뜻하는 아이콘을 결합해 구분하고 있다.
호환성을 유지하며 발전해가는 USB
현재 5Gbps 대역폭의 3.0 규격까지 발전한 USB 규격은 지난 2012년 7월 USB 기기의 최대 전력 공급 능력을 100W까지 늘린 Power Delivery 규격이 제정되고, CES 2013에서 제품 시연이 이뤄졌다.
USB PD는 USB 케이블만으로 최대 100W의 전력을 공급할 수 있기에 그동안 별도의 전원 어댑터가 필요했던 USB 외장 기기들을 USB 케이블만으로 활용할 수 있어, 위 시연 영상과 같이 고정식으로 이용하는 중앙 모니터를 전원 소스로 활용해 노트북을 활용하는 것도 가능하다.
USB가 하위 호환을 유지하면서 발전해온 것 처럼 이번 PD 규격 역시 기존 규격과 호환되지만, PD 규격을 제대로 활용하기 위해서는 이에 맞는 기기와 케이블이 필요하기에 추가 지출이 필요하며, 지난 CES 2013에서 첫 시연을 가진 만큼 실제 적용된 제품을 만나기에는 상당한 시일이 필요할 것으로 보인다.
아직 상용화 제품도 선보이지 않은 규격이기에 앞으로를 점치긴 조심스럽지만, 최소한 3.5" 외장 하드디스크 구동이 가능한 Profile2까지는 비교적 빠르게 보급될 것으로 전망되며, 이동이 잦은 비즈니스용 노트북이나 다수의 USB 장치를 사용하는 데스크탑 환경에서 일정 수요가 있을 것으로 예상된다.
한편, USB-IF에서는 현재 PD 규격 이후 5Gbps인 USBs 3.0의 대역폭을 2배로 늘리기 위한 작업을 진행 중으로, 분명히 USB가 현 시점의 PC 시장에서 가장 보편적인 외장형 인터페이스임에는 분명하지만 보다 높은 성능과 기능으로 추격해오는 타 인터페이스와의 경쟁에서 살아남기 위해 노력하는 모습을 보이는데, 다음에는 어떤 곳에서 변화하는 모습을 보여줄지 기대된다.
이상호 기자 / ghostlee@bodnara.co.kr
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2013년 2월 27일 수요일
TI E2E - Re: TPS2065CDBVR Wave Soldering Profile
TI E2E - Re: TPS2065CDBVR Wave Soldering Profile
TPS2065CDBVR Wave Soldering Profile
========== QUESTION ==========
Posted by Ivy Ong
on Feb 22 2012 03:16 AM
Hi,
Can you share with me the Wave/Flow Soldering Profile for TPS2065CDBVR (SOT23).
Or is there any link that I can download the profile from?
Thanks
========== ANSWER ==========
Posted by Martin Patoka
on Feb 23 2012 07:42 AM
The DBV package is qualified for reflow according J-STD-020 standard for maximum 260°C reflow temperature on the package, with a slow preheating to this temperature. Commonly a full convection reflow oven is used for this process.
Using the TPS2065CDBVR in a wave solder process (bottom-side mounted, and immersed in solder wave) is not qualified by TI and is at the customer's risk. The reason is that the package sees a thermal shock when the board moves from the preheating stage (around 150-180°C) into the liquid solder wave which may exceed 260°C for leadfree soldering. A part mounted to the topside (not in the solder) during wave will be OK with normal process temperatures..
There is not a specific profile recommended if the part is subjected to wave soldering. It usually is dependent on the equipment settings and structure. The solder and flux suppliers involved in that process may have general recommendations.
For reflow soldering, using SnAgCu leadfree solder pastes, the solder paste supplier recommendation is the first step to consider. Usually the peak temperature for reflow soldering is somewhere in the 235-245°C range to form the solder joint. This depends on the variations of packages on the board. Small packages may get hotter than larger ones during the reflow pass.
TPS2065CDBVR Wave Soldering Profile
========== QUESTION ==========
Posted by Ivy Ong
on Feb 22 2012 03:16 AM
Hi,
Can you share with me the Wave/Flow Soldering Profile for TPS2065CDBVR (SOT23).
Or is there any link that I can download the profile from?
Thanks
========== ANSWER ==========
Posted by Martin Patoka
on Feb 23 2012 07:42 AM
The DBV package is qualified for reflow according J-STD-020 standard for maximum 260°C reflow temperature on the package, with a slow preheating to this temperature. Commonly a full convection reflow oven is used for this process.
Using the TPS2065CDBVR in a wave solder process (bottom-side mounted, and immersed in solder wave) is not qualified by TI and is at the customer's risk. The reason is that the package sees a thermal shock when the board moves from the preheating stage (around 150-180°C) into the liquid solder wave which may exceed 260°C for leadfree soldering. A part mounted to the topside (not in the solder) during wave will be OK with normal process temperatures..
There is not a specific profile recommended if the part is subjected to wave soldering. It usually is dependent on the equipment settings and structure. The solder and flux suppliers involved in that process may have general recommendations.
For reflow soldering, using SnAgCu leadfree solder pastes, the solder paste supplier recommendation is the first step to consider. Usually the peak temperature for reflow soldering is somewhere in the 235-245°C range to form the solder joint. This depends on the variations of packages on the board. Small packages may get hotter than larger ones during the reflow pass.
TI E2E - RE: Manufacturing process
TI E2E - RE: Manufacturing process
========== Question ==========
Posted by Satyaprakash R1
I have query regarding manufacturing process for few parts.
1. Please let me know the reflow parameters specification or do you follow the J-STD-020 standard or any other standard.
2. What kind of reflow solder process is allowed? ( for example Hot Air/Convection, IR , Vapor Phase, )
3. Is wave soldering is allowed for these parts?
4. What kind of flux is used for example rosin, resin, Organic, Inorganic etc,
5. What kind of rework is preferred for example hand, Hot air, etc and its peak temperature.
6. We would also like to know the recommended method for cleaning. For example Water, Alcohol any other
If you any proper document for manufacturing/Assembly process please provide me that.
Here by I am attaching spread sheet where choices for each fields are noted in comments.
========== Answer ==========
Posted by JohnTucker
In general we follow J-STD-020. The maximum allowed reflow temperature is stated on the Moisture Sensitivity Label (MSL).
========== Question ==========
Posted by Satyaprakash R1
I have query regarding manufacturing process for few parts.
| TPS61170DRVR |
| CLVC1G125MDCKREP |
| CD74HC125QPWRQ1 |
| SN74AHC1G04QDBVRQ1 |
1. Please let me know the reflow parameters specification or do you follow the J-STD-020 standard or any other standard.
2. What kind of reflow solder process is allowed? ( for example Hot Air/Convection, IR , Vapor Phase, )
3. Is wave soldering is allowed for these parts?
4. What kind of flux is used for example rosin, resin, Organic, Inorganic etc,
5. What kind of rework is preferred for example hand, Hot air, etc and its peak temperature.
6. We would also like to know the recommended method for cleaning. For example Water, Alcohol any other
If you any proper document for manufacturing/Assembly process please provide me that.
Here by I am attaching spread sheet where choices for each fields are noted in comments.
========== Answer ==========
Posted by JohnTucker
In general we follow J-STD-020. The maximum allowed reflow temperature is stated on the Moisture Sensitivity Label (MSL).
John Tucker
Consumer DC/DC Applications
Consumer DC/DC Applications
2013년 2월 6일 수요일
2013년 1월 2일 수요일
PMIC 시장 쏠림 현상 심화…국내 업계 자생력 조기에 키워야
[ 2013년 01월 01일 ]
고부가가치 반도체로 각광받는 전력관리반도체(PMIC) 시장에서 외국계 선두 업체들의 쏠림 현상이 심화되고 있다. 중저가 시장에서는 대규모 양산 능력을 갖춘 일부 업체가 가격 경쟁을 주도하고 있고, 스마트폰용 고부가 PMIC 시장도 선두 업체가 싹쓸이하는 추세다. 삼성전자·실리콘마이터스·실리콘웍스 등 국내 PMIC 업체들이 서둘러 자생력을 확보해야 한다는 목소리다.
1일 업계에 따르면 최근 TI·맥심 등 외국계 PMIC 선두 업체들은 성능과 가격 경쟁력을 앞세워 시장을 독식하고 있다.
우선 중저가 PMIC 시장에서는 가격 경쟁 양상이 수위를 넘어섰다. 근래 중저가 모바일용 PMIC와 LCD 디스플레이·백라이트유닛(BLU) 구동용 PMIC는 가격이 40~70센트까지 떨어졌다. 가격 하락은 TI가 주도했다. TI는 지난해부터 200mm(8인치) 웨이퍼 생산 공정(팹)을 300mm(12인치) 공정으로 전환했다. 웨이퍼 크기를 키우면서 생산 원가를 대폭 낮췄다. 자체 팹을 이용해 설계 기간도 단축했다. 맥심 역시 지난 2010년부터 300mm 팹에서 PMIC를 양산했다. 실리콘마이터스 등 국내 업체는 여전히 200mm 웨이퍼 팹을 이용하고 있다. 동부하이텍과 하이닉스는 아직까지 300mm 웨이퍼 팹 생산 계획이 없다. 삼성전자를 제외하면 자체 팹이 없어 설계 후 테스트·양산까지 기간이 오래 걸린다는 것도 걸림돌이다.
세계 모바일 시장이 삼성전자와 애플의 양강 구도로 고착화된 것도 가격 인하를 부추기고 있다. 업계 관계자는 “성능과 가격에 대한 양사의 요구 수준이 한층 높아진 데다 TI가 저가격 정책을 쓰면서 거의 치킨게임 양상이 벌어지고 있다”고 말했다.
반면 프리미엄 스마트폰 등에 공급되는 고성능 PMIC는 국내 업체들이 넘볼 수 없는 영역이다. 모바일용 고성능 PMIC 시장을 석권한 맥심인티그레이티드가 타의 추종을 불허하는 이익을 내는 이유다. 갤럭시S3 등 프리미엄 스마트폰용 PMIC는 현재 1달러를 훌쩍 넘는 가격에 거래된다. 이에 따라 맥심은 올해(6월 결산 기준) 영업 이익률이 22.25%에 육박했다. 국내 PMIC 업체 실리콘마이터스는(작년 말 기준) 13%에 불과했다. 올해는 영업 이익률이 이보다 더 떨어질 전망이다.
조규형 KAIST 전자공학과 교수는 “스위칭파워와 극저잡음(LDO) 레귤레이터를 10개 이상 집적하면 간섭·노이즈 현상이 발생하기 때문에 고성능 PMIC는 높은 기술력이 필요하다”며 “국내 업계의 시장 진입이 늦었던 탓에 앞으로도 상당기간 기술과 노하우를 축적해야 할 것”이라고 말했다.
오은지기자 onz@etnews.com
출처: 전자신문 (http://www.etnews.com/news/device/device/2699666_1479.html)
2012년 11월 22일 목요일
PLDWorld server is On-Line again~!!!
지난 9/27 고장났던 기존 PLDWorld server는 버리고, 이번에 중고 server를 하나 장만해서 다시 가동을 시작했습니다...
OS설치하고, application 설치하고, backup 자료 복사하고, 등등등...
간만에 복구작업 진행하려니 힘도들고 귀찮아서 update도 거의 안하는 마당에 아예 운영을 관둘까 했습니다만, 그동안 운영했던게 아까워서 그냥 하기로 맘먹고 복구작업 진행을 했습니다...
많은 어려움이 있었습니다만, 지금은 다시 정상상태로 복귀되어 정상적인 service를 진행하고 있습니다...^^
OS설치하고, application 설치하고, backup 자료 복사하고, 등등등...
간만에 복구작업 진행하려니 힘도들고 귀찮아서 update도 거의 안하는 마당에 아예 운영을 관둘까 했습니다만, 그동안 운영했던게 아까워서 그냥 하기로 맘먹고 복구작업 진행을 했습니다...
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2012년 9월 28일 금요일
제품 안 이모저모: 구글 ‘넥서스7’
디스플레이/광전자
게재:2012년09월28일
Allan Yogasingam
EE Times
아마존은 작년에 최초의 200 달러 미만 태블릿인 '킨들 파이어'를 선보이며 가전 시장을 뒤흔들어 놓았다. 많은 이들이 이 온라인 업체의 전자 시장 진입에 대해 회의적이었지만, 일부에선 이를 천재적인 일격으로 보았다. 아마존은 자신들이 보유하고 있는 방대한 온라인 타이틀 자산을 이용해 업계 리더인 애플과 콘텐츠 면에서 경쟁할 수 있는 위치에 올라섰다.
'킨들 파이어'는 e북, 음악 및 영화를 망라하는 아마존의 라이브러리와 최저 가격대의 태블릿을 결합함으로써 즉각적인 히트 제품이 되었다. 2011년 4사분기에는 600만 대가 넘는 '킨들 파이어'가 판매되어 아마존은 전체 시장의 16.8 퍼센트를 차지하며 세계 제2위의 태블릿 제조업체로 올라섰다고 IDC는 밝혔다.
그런데도 아마존의 모델을 따라 하려는 업체들이 별로 없었다는 것은 이상한 일이었다. 태블릿 제조업체들은 아직도 애플과 경쟁하려 하고 있으며, 아이패드에 가깝거나 보다 나은 사양의 제품들을 내놓고 있다. 덕분에 400 달러 이하의 태블릿은 별로 없는 형편이다.
아마도 '킨들 파이어'에 대적할 수 있는 태블릿을 제공할 만한 자원과 콘텐츠를 보유하고 있는 업체는 구글 하나뿐일 듯싶다.
최초의 구글 브랜드 핸드폰인 '구글 넥서스 원(Google Nexus One)'은 HTC에 의해 제조되었으며, 구글이 소비자들에게 직접 판매한 최초의 핸드폰이기도 하다. 이 제품은 '넥서스 S', '넥서스 원' 및 '갤럭시 넥서스(Galaxy Nexus)'와 같은 다른 구글 장치들을 위한 템플릿 역할도 했다. 매번 제품을 내놓을 때마다 구글은 저명한 장치 제조업체와 협력관계를 맺는 한편으로 자신들은 사용자 인터페이스에 노력을 집중하고 특정 장치를 위한 안드로이드 운영체제를 최적화했다.
그리고 마침내 구글은 자사 최초의 브랜드 태블릿인 '넥서스7(Nexus 7)'을 지난 6월 27일에 개최된 I/O 컨퍼런스에서 선보였다. '넥서스7'의 가격은 199 달러로서, 이는 '킨들 파이어'와 직접 경쟁하게 될 것임을 뜻한다. 안드로이드 OS, 그 중에도 특히 '허니콤(Honeycomb)'은 아이패드의 경쟁자들에 의해 오래 전부터 사용되어 왔다. '넥서스7' 태블릿에는 안드로이드의 최신 4.1 버전인 '젤리빈(Jelly Bean)'도 포함되어 있다.
그림 1. 구글 '넥서스7'은 199 달러에 불과하며 풍부한 어플리케이션 라이브러리를 갖추고 있다.
'킨들 파이어'처럼 '넥서스7'은 다른 태블릿에 견줄만한 사양을 제공할 뿐만 아니라 구글 안드로이드 마켓을 통해 구입 가능한 풍부한 어플리케이션 라이브러리를 갖고 있다. 또한 7인치 디스플레이를 탑재한 '넥서스7'은 엔비디어의 쿼드코어 프로세서 '테그라3'와 1 GB RAM을 내장하고 있으며, 최대 16 Gb의 저장공간을 옵션으로 제공한다.
내부에는 무엇이?
'테그라3' 프로세서는 ASUS Transformer Prime 내부에 처음으로 사용된 이래로 꾸준히 그 채택이 늘어왔다. 우리의 IRIS 데이터베이스에 따르면, '테그라3'는 새로운 마이크로소프트 서피스(Surface) 태블릿에 사용된 것을 비롯해 최소한 다섯 개의 디자인 윈을 달성했다.
이 1.3 GHz의 저전력 SoC는 CPU와 GPU에 각각 네 개의 코어를 포함하는 최초의 모바일 어플리케이션 프로세서였다. '테그라3'는 "가변 대칭 멀티프로세싱" 기능을 갖는데, 이것은 전력소모가 덜한 작업에 저전력의 단일 코어를 사용한다.
그림 2. '넥서스7'의 통신 보드 앞면
새로운 벤더들
'넥서스7'의 칩 공급업체들 가운데는 주요 전력관리 IC(MAX77612A)를 제공하는 맥심(Maxim)사와 같은 친숙한 업체들도 있으며, 텍사스 인스트루먼츠(TI)사의 디자인 윈 두 개도 전력관리와 관련이 있다. 우리는 샌디스크/도시바(SanDisk/Toshiba)사에서 제조한 Kingston사의 8Gb 메모리 모듈과 NXP사의 PN65 NFC 보안 모듈도 발견했다. 후자의 경우, 최근 삼성 '갤럭시S3'에서도 찾아볼 수 있었다.
브로드컴(Broadcom)사의 블루투스 무선 트랜시버용 BCM4330 802.11n과 BCM4751 통합 GPS 수신기가 채택된 것도 주목할 만하다. BCM4330은 AzureWave AW-NH665 802.11n 와이파이/블루투스/FM 무선 모듈과 짝지어져 있다.
태블릿에서는 보통 볼 수 없는 칩 제조업체들 가운데 하나인 ELAN Microelectronics사는 '넥서스7'의 터치스크린용 컨트롤러를 제공했다. 전에는 이 회사의 마이크로컨트롤러가 중국 시장용으로 제조된 핸드폰에 사용된 것을 본 적이 있는데, '넥서스7'은 이 대만 벤더에게 있어서 중요한 디자인 윈인 셈이다.
하이엔드 프로세서와 안드로이드 4.1 젤리빈(Jelly Bean)용으로 최적화된 다수의 어플리케이션들 그리고 8Gb 모델의 경우 199 달러라는 가격의 조합은 구글에게 태블릿 시장에 영향을 미칠 수 있는 기회를 주고 있다. 초기 징후들로 봐서는 '넥서스7'의 선주문은 상당해 보인다. 구글이 '넥서스7'에서 성공을 거둔다면 애플도 7인치 모델을 내놓아야 한다는 압박이 커질 것이다. 이를 싫어한 고 스티브 잡스의 뜻에도 불구하고 말이다.
주요 부품들:
· 엔비디아 테그라3: 쿼드코어 모바일 어플리케이션 프로세서
· 하이닉스 H5TC2G83CFR: 2 Gb DDR3 SDRAM
· Kingston KE44B026BN: 8GB 메모리 모듈
· Realtek (RMC) ALC5642: 오디오 코덱 및 헤드폰 앰프
· 맥심 MAX77612A: 전력관리 IC
· 텍사스 인스트루먼츠 TPS63020: 벅-부스트 컨버터; SN75LVDS83B LVDS 디스플레이 Serdes
· 페어차일드 FDMC6675BZ: P 채널 파워 MOSFET
· ELAN Microelectronics eKTF3624BWS 및 eKTH1036BWS: 저항성 터치스크린용 컨트롤러
· Broadcom BCM4751: 통합 모놀리식 GPS 수신기
· InvenSense MPU-6050: 6축 (자이로 및 가속도계) MEMS 디바이스
· AzureWave AW-NH665: 802.11n 와이파이/블루투스/FM 무선 모듈
· NXP반도체 PN65: 보안 NFC 모듈
그림 3. '넥서스7'의 통신 보드 뒷면
출처: http://www.eetkorea.com/ART_8800675374_480703_NT_5713f945.HTM
좀 더 선명하고 자세한 사진들이 필요하시면 본 기사의 원문이 실려있는 http://www.eetimes.com/electronics-news/4376737/Teardown--Google-s-Nexus-7-를 방문하세요…
2012년 9월 27일 목요일
PLDWorld Server Down~!!!
내 개인 홈페이지가 운영되는 PLDWorld Web Server가 고장이 났다.ㅠㅠ
덕분에 내가 운영중인 모든 Website가 모두 중단~!!!
고치기는 해야하겠는데, 막상 하려니 깝깝하고 귀찮구만~^^;;;
한 10년썼으니 바꿀때가 된건가...
덕분에 내가 운영중인 모든 Website가 모두 중단~!!!
고치기는 해야하겠는데, 막상 하려니 깝깝하고 귀찮구만~^^;;;
한 10년썼으니 바꿀때가 된건가...
2012년 9월 8일 토요일
프린터 서버와 네트워크 스토리지까지, 넷기어 WNDR3800 유무선공유기::케이벤치
프린터 서버와 네트워크 스토리지까지, 넷기어 WNDR3800 유무선공유기::케이벤치
유무선 공유기에서 NETGEAR ReadyShare Storage기능을 지원하는건 아주 맘에 든다~^^
유무선 공유기에서 NETGEAR ReadyShare Storage기능을 지원하는건 아주 맘에 든다~^^
2012년 7월 13일 금요일
직렬 버스의 EOS 및 ESD 내성 극대화 하기
Maximizing EOS and ESD immunity in high-performance serial buses
By Burke Henehan, Texas Instruments Inc.
February 1, 2007
정전기 문제로부터 제품을 보호하는 것은 마술이다 ? 전혀 그렇지 않다 . 문제를 해결하기 위한 다층적 전략은 제품의 내성을 극대화하고 , 부품 비용과 프로젝트 일정에 미치는 영향을 최소화 한다 .
전기적 과부하 (EOS, electrical overstress) 및 정전기 방전 (ESD, electrostatic discharge) 은 반도체 장애의 주된 요인이다. 흔히 EOS 를 탓하지만, 때로는 ESD 가 EOS 를 수반하기도 한다. 어셈블리 기계가 부품을 손상시켰는지. 취급 절차에 적절한 ESD 예방 조치가 취해졌는지. 테스트 기기가 부품에 무언가를 가하지는 않았는지. 최종 사용자가 카펫 위에서 케이블을 연결하려 컴퓨터 후면의 커넥터를 찾느라 부품을 손상시켰는지 등 장애의 원인을 파악하는 것은 상당히 난해한 문제이다. 이 어려운 작업을 겪지 않으려면, 미리 장애를 예방하여 검출 작업을 최소화하는 것이 최선책이다. 이 글에서는 PC 보드의 ESD 및 EOS 내성을 극대화시키는 방법을 제시할 것이다.
ESD 는 제품에 닿아 반도체를 손상시킬 수 있는 일종의 외부 고전압 현상이다. 일반적으로 방전은 전자 현미경으로 세밀하게 스캔해야만 검출할 수 있는 절연 장애, 내부 보호 다이오드를 통한 누설 경로, 전력 레일에서 장치의 용해 홀 (melt hole) 로 전도를 발생시키는 단락 회로 등 여러 가지 요인들에 의해 발생되는 흔한 현상이다. 이러한 원인들로 인해 EOS 문제는 한 가지의 방법만으로는 해결될 수 없다.
EOS 방지는 중세 고성 건축가들의 심층적인 방어 개념과 아주 유사하다. 첫째, ESD 에너지가 유입되는 것을 차단한다.( 적의 침입을 차단 ) 둘째, 유입되는 에너지를 분산시킨다.( 적을 위태롭게 하기 ) 셋째, 유입되는 에너지에 대항해 반도체에 내성을 부여한다.( 갑옷 입히기 )
다음은 FireWire, USB, PCIe(Peripheral Component Interconnect Express) 와 같은 고속 직렬 버스에 대해 권장하는 사항이다. 섀시 (Chassis) 의 홀은 ESD 의 유입점이 될 수 있다는 것에 유의해야 한다. 고속 직렬 버스는 문제점이 아니라, 오히려 해결책일 수도 있다. 다수의 외부 연결을 결합시킴으로써 단일 직렬 버스 연결은 ESD 의 유입점을 제거할 수 있다. 이는 성으로 진입하는 유일한 문을 방어하는 것과 같은 이치다.
적의 침입 차단
첫째, 가능하다면 ESD 에너지가 반도체로 유입되지 않도록 해야 한다. 이에 가장 좋은 방법은 페러데이 케이지 (Faraday cage) 를 이용하는 것이다. 섀시 접지는 내부 전자 부품을 완전히 감싸고 있으며, 녹색 선이나 접지에 연결되어 있다. 좋은 예로 내부의 전자 부품을 감싸고 있는 전도 함체의 일종인 PC 의 금속 타워 케이스를 들 수 있다. 고속 직렬 버스는 전기 신호가 유입될 수 있는 커넥터를 장착하기 위해 홀을 연속 전도면에 필요로 한다. 제대로 설계된 직렬 버스는 신호 도체 주변이 완전히 외부와 차단되어 있으며, PC 보드 커넥터가 금속으로 차단되어 있다. 전체 차단에서 PC 보드 커넥터 차단까지 낮은 임피던스 연결이 이루어져 있고, PC 보드 커넥터와 섀시 접지를 결합한다면 연결된 장비 함체의 교접 커넥터를 거치는 이러한 연결들은 케이블 차단의 커넥터를 거친 한 장비의 금속 함체에서 유사 연속 전도면을 이룬다. 유사하다는 것은 금속 상자에 커넥터가 돌출되는 홀이 있기 때문이다. 이 공극을 통해 ESD 에너지가 유입될 수 있다. 다행히, 일부 장치들은 커넥터에서 함체 전도면까지 접촉이 이루어지도록 스프링 작용을 이용한다. 이러한 장치들의 수직 대각 접선은 커넥터가 돌출되는 함체와 접촉하고, 수평인 접선은 PC 보드 커넥터와 접촉하여 보드의 섀시 접지 또는 모두를 연결한다.
이 구조는 커넥터 쉘에서 섀시 접지까지의 연결을 짧게 하고, 함체에 돌출되는 커넥터 주변의 슬롯 안테나 길이를 줄여 ESD 와 EMI( 전자기파 간섭 ) 를 완화시킨다. 이 배치를 성의 경우에 빗대어 생각해 보자. 페러데이 케이지는 성벽이고, 커넥터 홀은 성문이라 생각하면 쉽다. 성벽으로 사방을 둘러싸고 있으며, 성문을 뚫을 수 없는 한 내부의 사람들은 안전하게 된다.
제품이 전도 함체가 없는 경우라면, 두 가지의 선택 방법이 있다. 유입되는 에너지를 소산시키거나 ( 적을 위태롭게 하기 ), 또는 ESD 에너지를 최대 전도체로 누락시켜 시간이 지남에 따라 유출되게 하는 것이다. 최대 도체로 누락 시킬 시, 도체가 지나가는 곳마다 ESD 전압이 전달되어, 다른 도체나 반도체 장치에 심각한 아크를 일으킬 수 있는 단점이 있다. 또한 전기장이 다른 반도체 장치들을 교란시킬 수도 있다. 이러한 바람직하지 못한 가능성을 설계상에서 최소화시킬 수 있다면, 최대 도체로 누락시키는 것이 더 적당한 옵션이 될 것이다.
적을 위태롭게 하기
비록 함체가 전도성을 가지고 있을지라도, ESD 는 들어갈 길을 찾을 수도 있다. 이 교활한 성질 때문에, 심층적인 방어가 필요한 것이다. 두 번째 층의 목표는 유입되는 에너지를 소산시키는 것이다. 즉, 성문을 통과하는 적들을 위태롭게 만드는 것이다. 두 번째 계층은 성의 외벽과 두 번째 벽 사이에 있는 치명적인 공간으로 생각하면 된다. 성에는 일반적으로 두 문 사이에 집중 포화를 위해 활을 쏘는 구멍이 마련된 통로가 있다. 성을 방어하는 군사들은 이 통로에서 끓는 기름을 침입자들에게 퍼붓는다. 첫 번째 벽 ( 페러데이 케이지 ) 를 통과한 적들은 두 번째 벽을 공격하기에 앞서 이 치명적인 공간에서 살아 남아야만 한다. 제품의 경우 이 단계에서는 가능한 한 많은 에너지를 소산시켜, 반도체에 이르는 에너지를 최소화시켜야 한다.
FireWire, USB, 케이블 버전의 PCIe 의 경우, 한 쌍의 반도체가 dc 케이블 전력을 공급하며 케이블 전력 복구 경로를 제공한다. 이 도체들을 엄격하게 필터링하면 ESD 가 반도체에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 일부를 개조하면 EMI 가 유출되는 것도 방지할 수가 있다. 설계자가 스프링 메커니즘으로 섀시 접지로 연결된 커넥터의 도체 쉘을 단락 시켰다고 가정하고, 전력 연결을 살펴 보자. 고주파 ESD 의 경우, 전력 및 접지 연결 ( Figure 1 의 C 1 및 C 2 ) 의 커넥터에 가능한 한 근접하도록 커패시터를 섀시 접지에 설치할 수 있다. 하지만, IEC( 국제 전기기술 위원회 ) 의 ESD 테스트 정의에서는 테스트 전압 (V) 에 대해 150pF(C) 로 충전된 커패시터를 사용한다. 총 전하 (Q) 는 변하지 않으므로, 이 전압을 커패시터 정격 전압 50V 미만으로 줄이려면, 보호 커패시터의 값은 약 0.033μF 이어야 한다. (C=Q/V, 따라서 V=Q/C) 0.01μF 커패시터는 이 애플리케이션에서 2kV 테스트 레벨에서 작동한다. 충분히 높은 전압의 커패시터를 사용해야 하며, 전압 클램프 ( 제너 다이오드 등 ) 로 커패시터를 보호하거나, 또는 이를 고전압 TVS( 과도 전압 억제기 ) 기기로 대체해야 한다. 이러한 연결들은 전력과 접지를 위한 것이므로, 그 연결들 사이에 대형 커패시터를 설치하는 것은 문제되지 않는다.
Figure 1 의 회로는 무극성 커패시터를 사용하고 있다. 불행히 이 두 가지 예들의 커패시터 값은 비교적 낮은 편이다. 이 접근 방식은 ESD 에너지를 섀시 접지로 누락 시키기 위한 낮은 임피던스 경로를 허용한다. 비록 에너지 전부를 포착하지는 못하지만, 도움이 되기 때문에 충분할 만큼 포착한다. 다른 경로 임피던스에 비해, 커패시터의 임피던스는 커패시터에 전달된 에너지의 양을 측정하여 전력 연결과 직렬의 또 다른 보호 요소, 페라이트 비드 (ferrite bead) FB 1 으로 유도한다. 페라이트는 고주파 신호에 대한 내성을 가지고 있다. 보다 높은 주파수에서 비드의 임피던스는 커패시터의 임피던스보다 높다. 고주파 에지는 ESD 중에서 가장 크게 손상을 입히는 요소로, 커패시터와 페라이트의 조합으로 에지들을 제거할 수 있다.
또, 회로를 효과적인 EMI 필터로 만들 수도 있다. EMI 필터는 ESD 필터와 정반대로, ESD 필터는 에너지의 유입을 방지하려 하고, EMI 필터는 에너지를 유입하려 한다. EMI 의 경우, 페라이트 비드에 인접한 커패시터 C 3 은 섀시 접지가 아닌 송수신기와 동일한 접지에 연결된다. 이는 에너지를 송수신기 칩으로 되돌려 보내는 것이다. 구성도에서 보면, 이 배열은 커패시터가 다리를 이루고 상부에 페라이트가 있는 파이 필터와 유사해 보인다. 레이아웃을 보자. 이는 매우 중요한 것으로, ESD 를 제거하려면 ESD 커패시터는 ESD 의 소스인 커넥터에 가능한 한 인접해야 한다. 그러나 EMI 커패시터는 EMI 의 소스인 송수신기 칩에 가능한 한 인접해야 한다. 그러므로 보다 문제를 발생시키는 쪽에 가깝게 페라이트를 위치시켜야 할 것이다. ESD 가 더 큰 문제라면 커넥터에 가까이, 또는 송수신기의 EMI 가 더 심각하다면 송수신기에 가까이 비드를 위치시켜야 한다. 결정을 내릴만한 충분한 정보가 없다면, 페라이트를 커넥터에 가까이 위치시켜야 한다. 이는 여러 소스로부터의 EMI 가 시스템에서 유출되는 것을 방지하며, ESD 에 의한 손상을 최대한 방지한다.
교묘한 접지 연결
접지 연결은 훨씬 더 어렵다. FireWire 와 USB 모두 낮은 임피던스 복귀 경로, 즉 케이블의 접지 도선을 통과하는 접지 복구 경로를 필요로 하는 공통 모드 신호 방식을 사용한다. 때문에, ESD/EMI 요건을 충족시킬 다른 대안이 없는 한 페라이트 비드를 접지 도선과 직렬로 배치해서는 안된다. 비드를 꼭 사용해야 할 경우, 비드를 광범위하게 테스트하여 작동 여부를 확인해야 한다. 그러나 가능한 한 커넥터에 인접하게, 신호 접지에서 섀시 접지로 커패시터를 연결하면 ESD 억제에 도움이 된다. 이 커패시터는 전류 분할기를 이루어, 대부분의 전류가 신호 접지 연결을 통과하게 된다. 그러나 일부는 섀시 접지에 연결된 커패시터를 통과하지만, 다행히도 큰 차이가 있다.
가장 어려운 점은 동등하게 다루어야 하는 고속 신호 라인이다. 라인들 중, 어느 하나에 어떤 조치를 취한다면 다른 쌍의 두 라인 모두에 취해야 한다. 적절한 방법은 일반적으로 사용하고자 하는 기술에 대한 공통 모드 초크이다. 공통 모드 초크는 두 도체에 공통인 신호에 대해 높은 임피던스를 보여주며 차동 신호들을 통과시킨다. ESD 와 EMI 모두 공통 모드 현상을 보이므로, 이 방법은 두 가지 모두에서 잘 작용한다. 그런데, 부품 배치에는 교환조건이 뒤따른다. 커넥터에 인접하여 초크를 배치하면, ESD 에 상당한 영향을 미친다. 송수신기 가까이에 위치시키면 송수신기 EMI 를 가장 크게 완화시킨다. 페라이트의 경우와 같은 이유로, 송수신기 EMI 가 초크를 추가해야 하는 중요한 까닭이 없는 한, 초크를 커넥터에 인접해 배치해야 한다. 두 차동 쌍을 갖춘 FireWire 의 경우, 공통 코어를 갖춘 단일 장치는 훨씬 작은 PC 보드 공간을 차지한다. 그러나, 각 쌍에 대하여 별도의 초크를 사용하면 두 쌍 간의 누화가 줄게 된다.
이러한 것들에 관해 여러 가지 생길 수 있는 문제점을 고려하고 주의를 기울여야 한다. 우선, 커패시터를 고속, 연선 신호 라인에 두지 않아야 한다. 주파수 때문에 몇 피코패럿 (picofarad) 이상의 정전용량이 신호 무결성을 불러온다. 테스트 제품이 처음에는 잘 작동하는 것처럼 보일지라도, 비트 오류율이 높을 수 있다. 또한 사용하고 있는 기술이 분명히 증명된 경우를 제외하고서는 공통 모드 초크를 사용하지 말아야 한다. FireWire 버전 A(IEEE 1394a) 는 공통 모드 신호방식 메커니즘을 사용하여 패킷 전송속도를 측정한다. 신호 라인 상의 공통 모드 초크가 이 공통 모드 신호를 통과시키지 않을 경우에는 98.304Mbps 패킷 전송이 가능한 경우라도, 더 빠른 속도의 패킷 전송은 불가능할 것이다.
양면 보드 또한 사용하지 말아야 한다. 직렬 버스들이 작동하는 주파수에서, 방출 신호 경로와 접지 복구 경로가 포함되어 있는 루프 임피던스는 신호 무결성과 발생한 EMI 의 양을 측정한다. 트레이스 하에 견고한 접지 층이 있고, 이 트레이스들에 비아 (via) 를 사용하지 않으면 레이아웃 작업은 한결 수월해 질것이다. 비아를 사용하면 신호 무결성에 손상을 주며, 이미지 평면을 연결하여 신호 경로 루프 면적을 최소화시켜야 하므로, 레이아웃이 매우 복잡해지게 된다. 송수신기에서 커넥터 핀으로 연결된 연선 신호 라인 하에, 견고한 접지 층을 갖춘 4 층 보드를 사용해야 한다. 커넥터 쉘에 연결되어 섀시 접지에 연결되는 부품의 연결 점을 제공하는 섀시 접지 층에는 견고한 플러드 (flood) 를 사용해야 한다. 그러한 보드의 레이아웃 시, 섀시 접지 플러드의 형상을 단순화시키는 것보다 신호 라인의 전체 길이 하에 견고한 신호 접지 층을 두는 것을 더욱 우선해야 한다.
갑옷 입히기
ESD 가 흩어진 방어막을 통과한다면, 적군들이 아성에 침입한 것과 같은 상황이 된다. 설치한 방어막을 넘어 온 에너지로부터 장치들을 보호해야만 한다. 모든 반도체 장치들에는 어떤 종류의 ESD 보호 기능이 내장되어 있다. 데이터 시트를 확인해 보자. 그러나 대부분의 경우 PC 보드에서 더 많은 조치를 취할 수 있다. 최종 목표는 반도체의 기능을 방해하는 모든 것들을 막아내는 것이다. 첫 번째로 점검해야 할 것은 리셋 핀이다. 이 핀들이 우발적으로 상태를 바꾸지 않도록 만들어야 한다. 대부분 그렇듯이 리셋 핀의 한계치가 접지 기준이라면, 리셋 핀에서 접지로 커패시터를 배치해야 한다. 커패시터는 리셋 핀이 접지 바운스 중, 상태가 변하지 않도록 하는데 도움이 된다. 이 경우, 하나의 이벤트가 접지 기준의 레벨을 변화시킨다. 변화가 상당히 클 경우에는, 반도체는 리셋을 실행시킬 수 있다. 짧은 접지 바운스 중, 리셋 핀에서 접지로 연결된 커패시터는 핀과 접지 간의 공칭 전압을 일정하게 유지하는데 도움이 된다. 보다 긴 이벤트 동안, 전압 변화를 허용하는 커패시터의 전하 유출은 한계치 초과점이다. 때문에 커패시터의 값을 가능한 한 크게 해야 한다. 리셋 핀이 대부분 dc 신호일 경우, 1μF 이상의 커패시터를 배치해야 한다. 구동 신호에 심한 부하를 주거나 주파수를 심하게 제한하는 경우, 낮은 값의 커패시터를 사용해야 하나, 이 경우에는 가급적 큰 값을 사용하는 것이 좋다. 동일한 논리를 반도체를 손상시킬 수 있는 모든 입력에 적용한다. FireWire 물리 계층의 경우, 리셋 및 LPS( 링크 - 전력 - 상태 ) 핀에 특별한 주의를 기울여야 한다.
ESD 공격에 접할 수 있는 기타 핀의 경우, 반도체와 ESD 공격 간에 아주 작은 저항만을 추가하더라도 반도체 보호에 도움이 된다. 예를 들어, 심각한 영향을 미치지 않도록 반도체에 최대한 가까이 근접하여 10Ω 레지스터를 신호와 직렬로 배치하면, ESD 내성이 증가한다. 이러한 요소들을 추가하는 것은 병사들에게 갑옷을 입히는 것에 비유할 수 있다. 갑옷이나 쇠사슬을 두른 기사들이 천으로 된 옷을 입은 기사들 보다 전투력이 훨씬 우수한 이치와 같다.
방어의 정도
이 모든 대책이 다 필요한 것일까 ? 사실 이것은 상황에 따라 다르다. 몇 개의 보드를 구축하는 경우라도 추가로 경비와 시간을 들여 가능한 한 견고하게 만들어야 한다. 제품에 고속 직렬 버스를 설계할 때, 설계 및 부품에 투자하는 경비와 시간은 최적의 위험 방지책이라고 할 수도 있다. EMI 및 ESD 영역을 점검하는 비용은 부품과 PC 보드에 부품을 배치하고, 백여 개의 보드를 구축하는데 드는 설계 시간 비용보다 훨씬 크다. ESD 및 EMI 영역의 두세 차례 사전 점검으로도 중요한 부분을 놓치는 경우가 종종 있으므로 이는 대단히 중요하다. 보드 수량이 아주 많다면, 융통성 있게 균형을 맞출 수 있다. 또한 수천 개의 보드를 구축하고 보드 당 1 달러 정도를 낮출 수 있다면, ESD 및 EMI 영역도 수 차례 점검해야 할 것이다. 당장에는 이 같은 점검이 지나치다고 여겨질 지 모르지만, 추후에는 보드 설계에서 더 많은 보호 요소들을 채택하는데 거의 비용이 들지 않는다. 비용의 절감을 위해, 특정 부품이 반드시 필요한 것이 아니라고 생각되면, 이를 부품 리스트에서 삭제하거나 보다 저렴한 0Ω 레지스터로 대체하자. 이러한 조치들은 전형적으로 초래할 수 있는 위험에 균형을 맞추는 것으로, 모든 설계자들이 해야 할 일이기도 하다.
Acknowledgements
As a senior member of the technical staff at Texas Instruments (Dallas), Burke Henehan defines audio amplifiers for mobile devices. He holds a master's degree in systems engineering from Texas Tech University (Lubbock, TX) and a bachelor's degree in electrical engineering from South Dakota School of Mines and Technology (Rapid City, SD). You can reach him at bh055@yahoo.com.
한글번역출처: http://www.ti.com/ww/kr/article/tiatc_07september_num06.html
2012년 7월 12일 목요일
[TI] TPS54226/TPS54326 latching after short circuit
Design Notes
Q: TPS54326 Won't recover after shut down by 12244
I'm using a TPS54226/326 in a design. When I briefly short the output to ground the converter does properly shut off but when I remove the short it does not turn back on but instead remains shut down. According to the data sheet this should not happen. The input supply is steady through the entire short and remove short event. Besides that everything else seems to work perfect.
A: Re: TPS54326 Won't recover after shut down by 1559531
The Current Protection paragraph on the data sheet is a little misleading. If a short triggers the UVP for greater than 250us the circuit will latch off.
OCP its self is non latching. if the overload is such that the output voltage falls less than 30 % it will recover automatically when the overload is removed.
UVP is latching. If the over current condition causes the output to fall more than 30%, then the UVP latching protection is activated.
2012년 6월 26일 화요일
DJ가 경멸한 대통령? "철학도 자질도 없는 것이…"
[김대중 평전 '새벽'·47] 햇볕과 광풍
기사입력 2012-06-21 오전 10:09:57
햇볕과 광풍
미국 대통령 선거가 끝났다. 그런데 당선자가 나오지 않았다. 민주당 후보 앨 고어와 공화당 후보 조지 부시는 치열한 접전을 벌였다. 그러면서 개표 과정이 투명하지 못했고, 부정선거 시비도 일었다. 결국 미국 대통령이 법정에서 탄생하는 초유의 사태가 벌어졌다. 35일 동안의 치열한 공방 끝에 연방대법원은 부시의 손을 들어줬다. 5대 4의 판결이었다. 민주 국가 최대의 축제인 선거가 망가졌고, 미국인들은 자존심에 상처를 입었다.
김대중은 이를 비상하게 챙겨보고 있었다. 고어는 클린턴 정부의 대북 정책을 이어받을 것이지만 부시는 알 수 없었다. 김대중은 클린턴의 북한 방문을 고대했다. 그의 임기 중에 북미 관계가 개선되기를 간절히 원했다. 하지만 공화당은 클린턴의 방북을 반대하고 있었다.
"세계 최강의 미국 대통령이 불량국가의 사악한 독재자를 찾아간다는 것은 미국의 자존심에 심각한 손상을 주는 행위이다."
그러던 12월 21일 클린턴이 청와대로 전화를 걸어왔다.
"아시다시피 이곳의 애매한 선거 결과로 후임자와 상의할 수 없음에 귀중한 시간만 소비했습니다. 동시에 중동 평화와 관련한 대화가 다시 시작되고 있습니다. 이번에는 성공적으로 결론지어질 것으로 보입니다. 때문에 북한 방문이 거의 불가능합니다."
클린턴은 훗날 이때 상황을 자서전 <마이 라이프(My life)>에서 이렇게 기술했다.
"나는 북한과의 협상을 진척시키고 있었지만, 중동 평화 협상의 성사가 임박한 상황에서 지구 정반대편에 가 있고 싶지 않았다. 더욱이 아라파트가 협상 성사를 간절히 바라고 있다면서 북한 방문을 단념할 것을 간청한 상태였기 때문에 나는 북한 방문을 강행할 수 없었다."
클린턴은 12월 28일 북한을 방문하지 않겠다고 공식 선언했다. 그리고 편지를 보내 김정일을 워싱턴으로 초청했다. 북한은 이에 응하지 않았다. 어쨌든 미국은 북미 공동 선언을 이행하지 않았다.
김대중은 탄식했다. 고어가 대통령에 당선되었다면, 클린턴이 북한을 방문했다면, 김정일이 못이긴 척 클린턴의 초청에 응했더라면, 중동 평화 회담이 그 때 열리지 않았다면 한반도에는 새로운 역사가 펼쳐졌을 것이다. 훗날 퇴임 후 김대중을 만난 자리에서 클린턴도 이렇게 술회했다.
"제가 1년만이라도 더 대통령으로 있었더라면 북한 위기가 해결됐을 겁니다."
역사에는 그래서 가정이 없다. 엄혹한 현실만이 있을 뿐이었다. 부시의 등장으로 한반도는 다시 얼어붙고 있었다. 김대중과 부시, 한 사람은 햇볕이었고, 다른 한사람은 광풍(狂風)이었다.
김대중은 3월 6일 미국을 방문했다. 취임 후 아시아 국가로는 처음 한국 대통령을 초청했다. 김대중은 부시 행정부가 어떤 외교 노선을 선호할지 궁금했다. 무엇보다 햇볕정책 지지 여부가 관건이었다. 정상 회담에 앞서 국무장관 콜린 파월과 조찬을 함께 했다. 파월은 햇볕 정책을 적극 지지한다고 말했다.
이어서 대통령 부시와 정상 회담을 가졌다. 김대중은 햇볕 정책을 자세히 설명했다. 부시도 이에 화답했다.
"김 대통령께서 이룩한 남북 관계 진전을 높이 평가합니다. 미국 정부는 대북 포용 정책을 적극 지지합니다."
회담은 이렇게 무리 없이 마쳤다. 김대중은 안도했다. 문제는 회담 후 기자 회견 때 불거졌다. 부시는 거친 표현을 동원 느닷없이 북한을 비난했다.
"나는 북한 지도자에 의구심을 가지고 있다."
"북한이 모든 합의를 준수하고 있는지 확신이 없다."
"대북 정책을 근본적으로 재검토하겠다."
부시는 김대중의 답변도 가로챘다. 또 디스 맨(This man)이라 호칭했다. 김대중은 매우 불쾌하면서도 불길했다. 부시의 회견 내용을 듣고 있던 국무장관 파월이 슬그머니 자취를 감췄다. 그리고 자신의 입장을 번복하는 회견을 가졌다. 콜린은 정상 회담 때까지 부시의 의중을 잘못 읽고 있었다. 부시는 네오콘들에 둘러싸여 있었다. 부통령 딕 체니, 국방장관 도널드 럼스펠드 등이 대북 강경책을 주도하고 있었다. 클린턴과 민주당의 노선을 노골적으로 부정했다. 'ABC(Anything But Clinton)'라는 신조어가 나돌 정도였다. 즉, 클린턴 대통령이 해놓은 것들은 모두 반대한다는 것이었다.
김대중은 황당하고도 분했다. 그날 통역을 맡았던 강경화(그녀는 빼어난 실력으로 한·미 양국의 신뢰를 얻었다)는 그날 김대중의 얼굴이 매우 어둡고 슬퍼보였다고 회고했다. 그렇지만 김대중은 반드시 부시를 설득해서 그를 굴복시켜야겠다고 결심했다. 다음날 클린턴에게 전화를 했다. 클린턴은 김대중을 따뜻하게 감쌌다.
"오늘 <뉴욕타임스>나 <워싱턴 포스트> 등 미국 주요 언론들 보도도 '한반도에 관해서는 결국 신 행정부가 클린턴 노선을 계승할 것'이라는 논조가 큰 흐름이라고 합니다. 일정 기간 검토가 끝나면 대통령께서 시작하신 일이 다시 살아날 것입니다."
"그렇게 되기를 바랍니다. 대통령께서 부시 대통령에게 유용한 조언을 많이 주셨으리라 확신합니다."
그러나 클린턴은 전직이었다. 그의 정책들은 부시 행정부가 구겨서 버리고 있었다. 한반도에 거주하는 한민족의 운명이 이렇듯 멀고 먼 강대국의 입김에 좌우되고 있었다. 김대중은 그날의 수모를 잊지 못했다. 부시 또한 그날의 무례를 잊지 않았다. 부시는 2004년 외교부 장관 반기문을 통해 사과했다. 김대중도서관을 찾은 반기문이 김대중에게 말했다.
"부시 대통령은 2001년 정상회담 때의 일을 매우 미안하게 생각하고 있었습니다. 이를 김대중 대통령에게 전해달라고 했습니다."
ⓒ프레시안(손문상)
2001년 9월 11일 세계무역센터가 무너져 내렸다. 지구촌을 온통 충격에 빠뜨린 9·11 사태였다. 미국의 하늘이 뚫렸다. 힘의 상징인 국방부 청사가 불에 탔다. 미국인의 자긍심도 불에 타버렸다. 분노한 부시는 보복 공격에 나섰다. 테러와의 전면전을 선포하고 각국에 동참을 강요했다.
"미국편에서서 테러와의 전쟁을 수행할 것인가, 아니면 테러리스트 편에 설 것인가."
미국에 줄을 서면 선이었고, 이탈하면 악이었다. 그리고 9·11 테러의 불똥은 한반도까지 날아왔다.
2002년 1월 말 부시는 연두교서에서 북한을 이라크, 이란과 함께 "악의 축"으로 지정했다. "선제공격으로 정권을 교체시켜야할 대상'이라 선언했다. 북한은 이를 선전포고로 간주하며 즉각 반발했다. 북한과 미국 관계는 다시 무력 충돌 위기로 치달았다.
부시의 "악의 축" 발언에 남쪽에서도 반미 감정이 일어났다. 미국의 무력 사용은 한반도의 전면전을 의미했다. 김대중 정부는 과거 군사 정권과 달랐다. 국민의 선택한 민주 정부였다. 한국 내 반미 감정이 일고 있음은 미국에게도 커다란 부담이었다. 마침 2월 하순 부시의 한국 방문이 예정되어 있었다. 김대중은 정상 회담을 통해 부시를 설득하기로 마음먹었다. 다시 철저하게 준비했다. 김대중은 벼르고 별렀다.
2월 20일 아침, 마침내 김대중과 부시가 마주 앉았다. 정상 회담은 예정 시간보다 무려 한 시간을 초과했다.
김대중은 햇볕 정책을 다시 설명했다. 그리고 북·미 대화의 필요성을 역설했다. 처음에는 부시도 그냥 물러서지 않았다.
"김정일 위원장은 자기 백성을 굶주리게 하고 인권을 유린하는 악랄한 독재자입니다. 북한에 자유의 바람을 불어넣어 북한 체제를 붕괴시켜야 합니다. 그리고 김 위원장은 서울 방문 약속을 왜 지키지 않는 것입니까."
부시의 공세적 질문은 김대중에게는 호기였다.
"레이건 대통령이 러시아를 '악의 제국'이라 지칭했지만 데탕트를 추진했습니다. 닉슨 대통령은 중국을 '전범'으로 규탄하면서도 중국을 방문하여 개혁 개방을 유도했습니다. 친구와의 대화는 쉽고 싫은 사람과의 대화는 어렵지만 국가를 위해, 필요에 의해 대화할 때는 해야 합니다. 미국은 한국 전쟁 때 공산당과도 대화를 했습니다. 북한의 안전을 보장하고 살길을 열어주면 북한은 핵과 대량 살상 무기를 포기할 것입니다. 북한에 기회를 주십시오."
부시는 "좋은 유추"라면서 고개를 끄덕였다. 김대중은 햇볕 정책 이후 남북이 상호 비방 및 도발 중지, 이산가족 상봉, 인적 왕래 증가 등 가시적인 성과가 있음을 설명하고 국민의 80퍼센트가 이를 지지하고 있다고 밝혔다.
"햇볕 정책은 유화 정책이 아닙니다. 강자만이 추진할 수 있는 공세적 정책입니다."
김대중은 휴전 이후 처음으로 북한의 군사 도발을 응징한 연평해전을 예로 들면서 강력한 힘을 바탕으로 데탕트를 추진하고 있음을 주지시켰다. 또 한반도에서의 전쟁이 얼마나 위험하고 무모한 것인지도 지적했다.
"우리 국민은 전쟁에 단호히 반대하고 있습니다. 북한에 대해 미국의 군사적 조치는 곧 전면 전쟁으로 확전될 것이 분명합니다. 펜타곤은 전쟁 발발 3개월 내에 한국군 50만 명, 미군 5만 명, 민간인 100만 명 이상의 사상자가 발생하고 산업 시설의 대부분이 파괴 될 것으로 예측한 바 있습니다. 전쟁은 우리가 승리하겠지만 이러한 참화는 막아야 할 것입니다."
김대중은 최선을 다해 부시를 설득했다. 그것은 부시의 대북 정책이 얼마나 단견인가를 지적하는 가르침이었다. 태도는 겸손하고 정중했지만 그 속에는 창이 숨어 있었다. 김대중은 공격에 부시는 마땅한 방패가 없었다. 부시가 할 수 있는 말은 "이해했다." "지지한다" "좋은 지적이다" 등 뿐이었다. 부시는 노벨 평화상을 받은 김대중을 다시 봤다. 2001년 워싱턴 회담에서 한국을 변방으로 보고 김대중을 그저 그런 지도자로 봤던 자신의 시각이 잘못됐음을 깨달았던 것이다.
회담이 예정 시간보다 한 시간이나 길어지자 밖에서 기다리는 한·미 양국의 외교관들은 극도로 긴장했다. 무슨 일이 벌어지고 있음이 틀림없었다. 회담이 끝나고 양국 정상이 나타났다. 그때 부시의 얼굴은 발갛게 상기되어 있었다. 평소 천진한 표정이 어색하게 굳어 있었다. 미국 외교관들은 그걸 보며 의아해하거나 불안해했지만 한국 수행원들은 내심 안도했다. 청와대 비서 김선흥은 당시의 부시 모습을 이렇게 술회했다.
"교무실에 불려가 주의를 단단히 듣고 나오는 학생의 표정 같았다."
정상 회담을 마치고 공동 기자 회견장에 나온 부시는 '김대중의 학생'이 되어 있었다.
"햇볕 정책을 적극 지지한다."
"북한을 침공하거나 공격할 의사가 없다."
"북한 주민에 대한 식량 지원을 계속하겠다."
그날 밤 만찬이 있었다. 김대중은 포도주 잔을 들어 건배 제의를 했다. 부시는 자신이 크리스천이라서 술을 마시지 않는다며 포도주 대신 별도로 준비해온 맥주로 건배했다. 알콜 성분이 없는 것이었다. 김대중이 물었다.
"어느 교파 소속이신지요."
"감리교입니다."
그러자 김대중은 산업 혁명 이후 감리교가 영국 사회에 끼친 영향에 대해 설명했다.
"산업 혁명 이후 토지를 잃은 농민들이 도시로 몰려나와 빈민이 되었습니다. 노동자들은 열악한 근로 조건에 반발하고 있었습니다. 그때 폭동이 일어나기 직전의 위기에서 영국을 구출하여 19세기 찬란한 빅토리아 왕조 시대를 열게 만든 세 부류가 있었습니다. 하나는 언론이고, 둘째는 법원이요, 세 번째는 감리교였습니다.
당시 성공회는 왕족이나 귀족들만의 종교로 대중의 고통을 외면했습니다. 존 웨슬리가 감리교를 창시해서 성공회가 외면한 사람들을 품어줬습니다. 불만과 분노에 찬 이들을 위로하고 희망 속으로 이끌었습니다. 감리교가 영국을 구원한 것입니다. 대통령께서 믿는 감리교가 그래서 위대합니다."
부시 내외는 진지하게 경청했다. 김대중의 박식함이 그저 놀라울 뿐이었다.
한미 정상 회담은 김대중의 뜻대로 마무리 되었다. 국내외 언론들도 성공적인 회담이라 평가했다.
김대중은 또 다시 최선을 다했다. 부시가 마음에 들어서가 아니었다. 김대중 자신이 한 말처럼 국익에 도움이 된다면 악마와도 대화를 해야 했다. 부시는 연두교서에서 북한을 "정권 교체와 선제공격의 대상"이라 공언했지만 "공격할 의사가 없다, 지원을 계속하겠다"고 입장을 번복했다. 한 달도 채 안된, 연두교서의 잉크도 마르기 전이었으니 부시의 체면이 많이 구겨졌다.
그 후에도 미국은 대북 정책과 관련해서 냉탕온탕을 오갔다. 미국 대통령 부시는 네오콘들의 충동질에 즉흥적 조치들을 남발했다. 면전에서는 햇볕 정책을 지지한다 해놓고 돌아서면 딴 짓이었다. 말과 행동이 달랐다. 그 때마다 덜 익은 정책으로 한반도 전체가 요동을 쳤다. 김대중은 이런 부시를 경멸했다. 임기를 끝낼 때 쯤 김대중은 부시를 이렇게 평했다. 그 속에는 증오가 잔뜩 묻어있었다.
"우리는 철학이 없고 자질 부족한 극우 보수주의자인 부시 대통령 때문에 미국까지 포함한 세계가 얼마나 피해를 입었는가? 나는 2000년부터 2003년 퇴임 때까지 남북 관계 개선 발전을 위한 천금 같은 시기를 갈등과 정체 속에 보낸 것이 지금 생각해고 원망스럽고 애석의 심정을 금할 수 없다."
"한반도 문제는 2000년 6·15 정상 회담 이래 순풍에 돛 단 듯이 순항한 것을 2001년 부시가 들어서면서 지난 8년 동안 엉망을 만들었다. 부시는 철학도 일관된 정책도 없이 일을 어렵게 했다. 나라가 잘되려면 국민이 훌륭해야지만 지도자도 제대로 된 사람이 들어서야 한다."
/김택근 언론인
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